VNS1NV04DPTR-E ಗೇಟ್ ಡ್ರೈವರ್‌ಗಳು OMNIFET ಪವರ್ MOSFET 40V 1.7 A
♠ ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ
| ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ಗುಣಲಕ್ಷಣ ಮೌಲ್ಯ |
| ತಯಾರಕ: | STMಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ |
| ಉತ್ಪನ್ನ ವರ್ಗ: | ಗೇಟ್ ಚಾಲಕರು |
| ಉತ್ಪನ್ನ: | MOSFET ಗೇಟ್ ಚಾಲಕರು |
| ಮಾದರಿ: | ಲೋ-ಸೈಡ್ |
| ಆರೋಹಿಸುವ ಶೈಲಿ: | SMD/SMT |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಕೇಸ್: | SOIC-8 |
| ಚಾಲಕರ ಸಂಖ್ಯೆ: | 2 ಚಾಲಕ |
| ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: | 2 ಔಟ್ಪುಟ್ |
| ಔಟ್ಪುಟ್ ಕರೆಂಟ್: | 1.7 ಎ |
| ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗರಿಷ್ಠ: | 24 ವಿ |
| ಏರಿಕೆ ಸಮಯ: | 500 ಎನ್ಎಸ್ |
| ಶರತ್ಕಾಲದ ಸಮಯ: | 600 ಎನ್ಎಸ್ |
| ಕನಿಷ್ಠ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ: | - 40 ಸಿ |
| ಗರಿಷ್ಠ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ: | + 150 ಸಿ |
| ಸರಣಿ: | VNS1NV04DP-E |
| ಅರ್ಹತೆ: | AEC-Q100 |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ರೀಲ್ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ಟೇಪ್ ಕತ್ತರಿಸಿ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ಮೌಸ್ ರೀಲ್ |
| ಬ್ರ್ಯಾಂಡ್: | STMಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ |
| ತೇವಾಂಶ ಸೂಕ್ಷ್ಮ: | ಹೌದು |
| ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಸಪ್ಲೈ ಕರೆಂಟ್: | 150 ಯುಎ |
| ಉತ್ಪನ್ನದ ಪ್ರಕಾರ: | ಗೇಟ್ ಚಾಲಕರು |
| ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಪ್ರಮಾಣ: | 2500 |
| ಉಪವರ್ಗ: | PMIC - ಪವರ್ ಮ್ಯಾನೇಜ್ಮೆಂಟ್ IC ಗಳು |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: | Si |
| ಘಟಕದ ತೂಕ: | 0.005291 ಔನ್ಸ್ |
♠ OMNIFET II ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಸ್ವಯಂ ರಕ್ಷಿತ ಪವರ್ MOSFET
VNS1NV04DP-E ಎಂಬುದು ಎರಡು ಏಕಶಿಲೆಯ OMNIFET II ಚಿಪ್‌ಗಳಿಂದ ರೂಪುಗೊಂಡ ಸಾಧನವಾಗಿದ್ದು, ಪ್ರಮಾಣಿತ SO-8 ಪ್ಯಾಕೇಜ್‌ನಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗಿದೆ.OMNIFET II ಅನ್ನು STMicroelectronics VIPower™ M0-3 ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ: DC ಯಿಂದ 50KHz ವರೆಗಿನ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಪವರ್ MOSFET ಗಳನ್ನು ಬದಲಿಸಲು ಅವು ಉದ್ದೇಶಿಸಲಾಗಿದೆ.ಥರ್ಮಲ್ ಶಟ್‌ಡೌನ್, ಲೀನಿಯರ್ ಕರೆಂಟ್ ಲಿಮಿಟೇಶನ್ ಮತ್ತು ಓವರ್‌ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕ್ಲಾಂಪ್‌ನಲ್ಲಿ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ ಕಠಿಣ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ರಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ.
ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪಿನ್‌ನಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ದೋಷದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದು.
• ಲೀನಿಯರ್ ಕರೆಂಟ್ ಮಿತಿ
• ಥರ್ಮಲ್ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆ
• ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರಕ್ಷಣೆ
• ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಕ್ಲಾಂಪ್
• ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪಿನ್‌ನಿಂದ ಕಡಿಮೆ ಕರೆಂಟ್ ಎಳೆಯಲಾಗಿದೆ
• ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪಿನ್ ಮೂಲಕ ರೋಗನಿರ್ಣಯದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ
• ESD ರಕ್ಷಣೆ
• ಪವರ್ ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್‌ನ ಗೇಟ್‌ಗೆ ನೇರ ಪ್ರವೇಶ (ಅನಲಾಗ್ ಡ್ರೈವಿಂಗ್)
• ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಪವರ್ ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ
• 2002/95/EC ಯುರೋಪಿಯನ್ ನಿರ್ದೇಶನದ ಅನುಸರಣೆಯಲ್ಲಿ
