VNB35N07TR-E ಪವರ್ ಸ್ವಿಚ್ ಐಸಿಗಳು - ಪವರ್ ಡಿಸ್ಟ್ರಿಬ್ಯೂಷನ್ OMNIFETII ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಆಟೋ ಪ್ರೊಟೆಕ್ಟ್ Pwr MOSFET
♠ ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ
| ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ಗುಣಲಕ್ಷಣ ಮೌಲ್ಯ |
| ತಯಾರಕ: | STMಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ |
| ಉತ್ಪನ್ನ ವರ್ಗ: | ಪವರ್ ಸ್ವಿಚ್ ಐಸಿಗಳು - ಪವರ್ ಡಿಸ್ಟ್ರಿಬ್ಯೂಷನ್ |
| ಮಾದರಿ: | ಲೋ ಸೈಡ್ |
| ಔಟ್‌ಪುಟ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: | 1 ಔಟ್ಪುಟ್ |
| ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಿತಿ: | 35 ಎ |
| ಪ್ರತಿರೋಧದ ಮೇಲೆ - ಗರಿಷ್ಠ: | 28 mOhms |
| ಸಮಯಕ್ಕೆ - ಗರಿಷ್ಠ: | 200 ಎನ್ಎಸ್ |
| ಆಫ್ ಟೈಮ್ - ಗರಿಷ್ಠ: | 1 ನಮಗೆ |
| ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ಸಪ್ಲೈ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | 28 ವಿ |
| ಕನಿಷ್ಠ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ: | - 40 ಸಿ |
| ಗರಿಷ್ಠ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ: | + 150 ಸಿ |
| ಆರೋಹಿಸುವ ಶೈಲಿ: | SMD/SMT |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಕೇಸ್: | D2PAK-3 |
| ಸರಣಿ: | VNB35N07-E |
| ಅರ್ಹತೆ: | AEC-Q100 |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ರೀಲ್ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ಟೇಪ್ ಕತ್ತರಿಸಿ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ಮೌಸ್ ರೀಲ್ |
| ಬ್ರ್ಯಾಂಡ್: | STMಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ |
| ತೇವಾಂಶ ಸೂಕ್ಷ್ಮ: | ಹೌದು |
| ಪಿಡಿ - ಪವರ್ ಡಿಸ್ಸಿಪೇಶನ್: | 125000 ಮೆ.ವ್ಯಾ |
| ಉತ್ಪನ್ನದ ಪ್ರಕಾರ: | ಪವರ್ ಸ್ವಿಚ್ ಐಸಿಗಳು - ಪವರ್ ಡಿಸ್ಟ್ರಿಬ್ಯೂಷನ್ |
| ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಪ್ರಮಾಣ: | 1000 |
| ಉಪವರ್ಗ: | IC ಗಳನ್ನು ಬದಲಿಸಿ |
| ಘಟಕದ ತೂಕ: | 0.079014 ಔನ್ಸ್ |
♠ OMNIFET: ಸಂಪೂರ್ಣ ಸ್ವಯಂ ರಕ್ಷಿತ ಪವರ್ MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E ಮತ್ತು VNV35N07-E ಗಳು STMicroelectronics VIPower® ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಮಾಡಲಾದ ಏಕಶಿಲೆಯ ಸಾಧನಗಳಾಗಿವೆ, DC ಯಲ್ಲಿನ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಪವರ್ MOSFET ಗಳನ್ನು 50 KHz ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಲು ಉದ್ದೇಶಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಅಂತರ್ನಿರ್ಮಿತ ಥರ್ಮಲ್ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆ, ರೇಖೀಯ ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಿತಿ ಮತ್ತು ಓವರ್ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕ್ಲಾಂಪ್ ಕಠಿಣ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ರಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ.
ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪಿನ್‌ನಲ್ಲಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣೆ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ದೋಷದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದು.
• ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಅರ್ಹತೆ
• ಲೀನಿಯರ್ ಕರೆಂಟ್ ಮಿತಿ
• ಥರ್ಮಲ್ ಸ್ಥಗಿತಗೊಳಿಸುವಿಕೆ
• ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರಕ್ಷಣೆ
• ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಕ್ಲಾಂಪ್
• ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪಿನ್‌ನಿಂದ ಕಡಿಮೆ ಕರೆಂಟ್ ಎಳೆಯಲಾಗಿದೆ
• ಇನ್‌ಪುಟ್ ಪಿನ್ ಮೂಲಕ ರೋಗನಿರ್ಣಯದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ
• ESD ರಕ್ಷಣೆ
• ಪವರ್ MOSFET ನ ಗೇಟ್‌ಗೆ ನೇರ ಪ್ರವೇಶ (ಅನಲಾಗ್ ಡ್ರೈವಿಂಗ್)
• ಪ್ರಮಾಣಿತ ಪವರ್ MOSFET ನೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ
• ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ TO-220 ಪ್ಯಾಕೇಜ್
• 2002/95/EC ಯುರೋಪಿಯನ್ ನಿರ್ದೇಶನಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ
