SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ
| ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ಗುಣಲಕ್ಷಣ ಮೌಲ್ಯ |
| ತಯಾರಕ: | ವಿಷಯ್ |
| ಉತ್ಪನ್ನ ವರ್ಗ: | MOSFET |
| RoHS: | ವಿವರಗಳು |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: | Si |
| ಆರೋಹಿಸುವ ಶೈಲಿ: | SMD/SMT |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್/ಕೇಸ್: | PowerPAK-1212-8 |
| ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಧ್ರುವೀಯತೆ: | ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ |
| ಚಾನಲ್‌ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: | 1 ಚಾನಲ್ |
| Vds - ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್‌ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | 200 ವಿ |
| ಐಡಿ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್: | 3.8 ಎ |
| Rds ಆನ್ - ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್: | 1.05 ಓಮ್ |
| Vgs - ಗೇಟ್-ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | - 20 ವಿ, + 20 ವಿ |
| Vgs ನೇ - ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | 2 ವಿ |
| Qg - ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್: | 25 ಎನ್ಸಿ |
| ಕನಿಷ್ಠ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ: | - 50 ಸಿ |
| ಗರಿಷ್ಠ ಆಪರೇಟಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನ: | + 150 ಸಿ |
| ಪಿಡಿ - ಪವರ್ ಡಿಸ್ಸಿಪೇಶನ್: | 52 W |
| ಚಾನಲ್ ಮೋಡ್: | ವರ್ಧನೆ |
| ವ್ಯಾಪಾರ ಹೆಸರು: | ಟ್ರೆಂಚ್‌ಎಫ್‌ಇಟಿ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ರೀಲ್ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ಟೇಪ್ ಕತ್ತರಿಸಿ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್: | ಮೌಸ್ ರೀಲ್ |
| ಬ್ರ್ಯಾಂಡ್: | ವಿಷಯ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ಸ್ |
| ಕಾನ್ಫಿಗರೇಶನ್: | ಏಕ |
| ಶರತ್ಕಾಲದ ಸಮಯ: | 12 ns |
| ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್‌ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ - ಕನಿಷ್ಠ: | 4 ಎಸ್ |
| ಎತ್ತರ: | 1.04 ಮಿ.ಮೀ |
| ಉದ್ದ: | 3.3 ಮಿ.ಮೀ |
| ಉತ್ಪನ್ನದ ಪ್ರಕಾರ: | MOSFET |
| ಏರಿಕೆ ಸಮಯ: | 11 ns |
| ಸರಣಿ: | SI7 |
| ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಪ್ರಮಾಣ: | 3000 |
| ಉಪವರ್ಗ: | MOSFET ಗಳು |
| ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: | 1 ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ |
| ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ: | 27 ns |
| ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಟರ್ನ್-ಆನ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ: | 9 ns |
| ಅಗಲ: | 3.3 ಮಿ.ಮೀ |
| ಭಾಗ # ಅಲಿಯಾಸ್: | SI7119DN-GE3 |
| ಘಟಕದ ತೂಕ: | 1 ಗ್ರಾಂ |
• IEC 61249-2-21 ಪ್ರಕಾರ ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್-ಮುಕ್ತ ಲಭ್ಯವಿದೆ
• TrenchFET® Power MOSFET
• ಸಣ್ಣ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ 1.07 mm ಪ್ರೊಫೈಲ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಕಡಿಮೆ ಉಷ್ಣ ನಿರೋಧಕ PowerPAK® ಪ್ಯಾಕೇಜ್
• 100 % UIS ಮತ್ತು Rg ಪರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ
• ಮಧ್ಯಂತರ DC/DC ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜುಗಳಲ್ಲಿ ಸಕ್ರಿಯ ಕ್ಲಾಂಪ್
