FQU2N60CTU MOSFET 600V N-ಚಾನೆಲ್ Adv Q-FET C-ಸರಣಿ
♠ ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ
ಉತ್ಪನ್ನ ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ಗುಣಲಕ್ಷಣ ಮೌಲ್ಯ |
ತಯಾರಕ: | ಒನ್ಸೆಮಿ |
ಉತ್ಪನ್ನ ವರ್ಗ: | ಮಾಸ್ಫೆಟ್ |
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: | Si |
ಆರೋಹಿಸುವ ಶೈಲಿ: | ಥ್ರೂ ಹೋಲ್ |
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ: | TO-251-3 |
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಧ್ರುವೀಯತೆ: | ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ |
ಚಾನಲ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ: | 1 ಚಾನೆಲ್ |
Vds - ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಬ್ರೇಕ್ಡೌನ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | 600 ವಿ |
ಐಡಿ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ ಕರೆಂಟ್: | ೧.೯ ಎ |
ರಸ್ತೆಗಳು ಆನ್ - ಡ್ರೈನ್-ಸೋರ್ಸ್ ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್: | ೪.೭ ಓಮ್ಸ್ |
Vgs - ಗೇಟ್-ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | - 30 ವಿ, + 30 ವಿ |
Vgs th - ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್: | 2 ವಿ |
Qg - ಗೇಟ್ ಶುಲ್ಕ: | ೧೨ ಎನ್ ಸಿ |
ಕನಿಷ್ಠ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ: | - 55 ಸಿ |
ಗರಿಷ್ಠ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ತಾಪಮಾನ: | + 150 ಸಿ |
ಪಿಡಿ - ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ: | 2.5 ಡಬ್ಲ್ಯೂ |
ಚಾನಲ್ ಮೋಡ್: | ವರ್ಧನೆ |
ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ : | ಟ್ಯೂಬ್ |
ಬ್ರ್ಯಾಂಡ್: | ಒನ್ಸೆಮಿ / ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ |
ಸಂರಚನೆ: | ಏಕ |
ಶರತ್ಕಾಲದ ಸಮಯ: | 28 ಎನ್ಎಸ್ |
ಫಾರ್ವರ್ಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಕಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ - ಕನಿಷ್ಠ: | 5 ಎಸ್ |
ಎತ್ತರ: | 6.3 ಮಿ.ಮೀ. |
ಉದ್ದ: | 6.8 ಮಿ.ಮೀ. |
ಉತ್ಪನ್ನ ಪ್ರಕಾರ: | ಮಾಸ್ಫೆಟ್ |
ಏರಿಕೆ ಸಮಯ: | 25 ಎನ್ಎಸ್ |
ಸರಣಿ: | FQU2N60C |
ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಪ್ರಮಾಣ: | 5040 #5040 |
ಉಪವರ್ಗ: | MOSFET ಗಳು |
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: | 1 ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ |
ಪ್ರಕಾರ: | ಮಾಸ್ಫೆಟ್ |
ವಿಶಿಷ್ಟ ಟರ್ನ್-ಆಫ್ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ: | 24 ಎನ್ಎಸ್ |
ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಆನ್ ಮಾಡುವಾಗ ಉಂಟಾಗುವ ವಿಳಂಬ ಸಮಯ: | 9 ಎನ್ಎಸ್ |
ಅಗಲ: | 2.5 ಮಿ.ಮೀ. |
ಯೂನಿಟ್ ತೂಕ: | 0.011993 ಔನ್ಸ್ |
♠ MOSFET - N-ಚಾನೆಲ್, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
ಈ N−ಚಾನೆಲ್ ವರ್ಧನಾ ಮೋಡ್ ಪವರ್ MOSFET ಅನ್ನು ಆನ್ಸೆಮಿಯ ಸ್ವಾಮ್ಯದ ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಸ್ಟ್ರೈಪ್ ಮತ್ತು DMOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ರೋಡ್ಯೂಸ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಈ ಮುಂದುವರಿದ MOSFET ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಅವಲಾಂಚೆ ಶಕ್ತಿಯ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ. ಈ ಸಾಧನಗಳು ಸ್ವಿಚ್ಡ್ ಮೋಡ್ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈಗಳು, ಆಕ್ಟಿವ್ ಪವರ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ಕರೆಕ್ಷನ್ (PFC) ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಲ್ಯಾಂಪ್ ಬ್ಯಾಲೆಸ್ಟ್ಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿವೆ.
• 1.9 A, 600 V, RDS(ಆನ್) = 4.7 (ಗರಿಷ್ಠ) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A
• ಕಡಿಮೆ ಗೇಟ್ ಶುಲ್ಕ (ಟೈಪ್. 8.5 nC)
• ಕಡಿಮೆ Crss (ಟೈಪ್. 4.3 pF)
• 100% ಹಿಮಪಾತ ಪರೀಕ್ಷೆ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ
• ಈ ಸಾಧನಗಳು ಹಾಲಿಡ್ ಮುಕ್ತವಾಗಿವೆ ಮತ್ತು RoHS ಕಂಪ್ಲೈಂಟ್ ಆಗಿವೆ.