FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ
| ಉತ್ಪನ್ನದ ಗುಣಲಕ್ಷಣ | ಗುಣಲಕ್ಷಣದ ಶೌರ್ಯ |
| ತಯಾರಕ: | ಒನ್ಸೆಮಿ |
| ಉತ್ಪನ್ನ ವರ್ಗ: | ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್ |
| ರೋಹೆಚ್ಎಸ್: | ವಿವರಗಳು |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: | Si |
| ಮೋಟಾಜೆ ಶೈಲಿ: | ಎಸ್‌ಎಂಡಿ/ಎಸ್‌ಎಂಟಿ |
| ಪ್ಯಾಕ್ವೆಟ್ / ಕ್ಯೂಬಿಯೆರ್ಟಾ: | ಎಸ್‌ಎಸ್‌ಒಟಿ -3 |
| ಪೋಲರಿಡಾಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್: | ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ |
| ನುಮೆರೊ ಡಿ ಕೆನಾಲ್ಸ್: | 1 ಚಾನೆಲ್ |
| ವಿಡಿಎಸ್ - ಟೆನ್ಶನ್ ಡಿಸ್ರಪ್ಟಿವಾ ಎಂಟ್ರಿ ಡ್ರೇನಾಜೆ ವೈ ಫ್ಯೂಯೆಂಟೆ: | 20 ವಿ |
| ಐಡಿ - ಕೊರಿಯೆಂಟೆ ಡಿ ಡ್ರೆನಾಜೆ ಕಂಟಿನ್ಯಾ: | ೧.೭ ಎ |
| ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ - ರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸಿಯಾ ಎಂಟ್ರೆ ಡ್ರೆನಾಜೆ ವೈ ಫ್ಯೂಯೆಂಟೆ: | 55 ನಿಮೋಮ್ಸ್ |
| ವಿಜಿಎಸ್ - ಟೆನ್ಶನ್ ಎಂಟ್ರಿ ಪ್ಯೂರ್ಟಾ ವೈ ಫ್ಯೂಯೆಂಟೆ: | - 8 ವಿ, + 8 ವಿ |
| Vgs ನೇ - ಟೆನ್ಶನ್ ಅಂಬ್ರಲ್ ಎಂಟ್ರೆ ಪ್ಯೂರ್ಟಾ ವೈ ಫ್ಯೂಯೆಂಟೆ: | 400 ಎಮ್‌ವಿ |
| Qg - ಕಾರ್ಗಾ ಡಿ ಪೋರ್ಟಾ: | 5 ಎನ್.ಸಿ. |
| ತಾಪಮಾನ | - 55 ಸಿ |
| ತಾಪಮಾನ | + 150 ಸಿ |
| ಡಿಪಿ - ಡಿಸಿಪಾಸಿಯಾನ್ ಡಿ ಪೊಟೆನ್ಸಿಯಾ: | 500 ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ |
| ಮೋಡೊ ಕಾಲುವೆ: | ವರ್ಧನೆ |
| ವಾಣಿಜ್ಯ ಹೆಸರು: | ಪವರ್‌ಟ್ರೆಂಚ್ |
| ಎಂಪಾಕ್ವೆಟಾಡೊ: | ರೀಲ್ |
| ಎಂಪಾಕ್ವೆಟಾಡೊ: | ಕಟ್ ಟೇಪ್ |
| ಎಂಪಾಕ್ವೆಟಾಡೊ: | ಮೌಸ್‌ರೀಲ್ |
| ಮಾರ್ಕಾ: | ಒನ್ಸೆಮಿ / ಫೇರ್‌ಚೈಲ್ಡ್ |
| ಸಂರಚನೆ: | ಏಕ |
| ಸಮಯ: | 8.5 ಎನ್ಎಸ್ |
| ಟ್ರಾನ್ಸ್ಕಂಡಕ್ಟಾನ್ಸಿಯಾ ಹ್ಯಾಸಿಯಾ ಡೆಲಾಂಟೆ - ಮಿನ್.: | 7 ಎಸ್ |
| ಪರ್ಯಾಯ: | 1.12 ಮಿ.ಮೀ. |
| ರೇಖಾಂಶ: | 2.9 ಮಿ.ಮೀ. |
| ಉತ್ಪನ್ನ: | MOSFET ಸಣ್ಣ ಸಿಗ್ನಲ್ |
| ಉತ್ಪನ್ನ ಪ್ರಕಾರ: | ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್ |
| ಸಮಯ: | 8.5 ಎನ್ಎಸ್ |
| ಸರಣಿ: | ಎಫ್‌ಡಿಎನ್335ಎನ್ |
| ಕ್ಯಾಂಟಿಡಾಡ್ ಡಿ ಎಂಪಾಕ್ ಡಿ ಫ್ಯಾಬ್ರಿಕಾ: | 3000 |
| ಉಪವರ್ಗ: | MOSFET ಗಳು |
| ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: | 1 ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ |
| ಪ್ರಕಾರ: | ಮಾಸ್‌ಫೆಟ್ |
| ಟೈಂಪೊ ಡಿ ರಿಟಾರ್ಡೊ ಡಿ ಅಪಗಾಡೊ ಟಿಪಿಕೊ: | ೧೧ ಎನ್ಎಸ್ |
| ಟೈಂಪೊ ಟಿಪಿಕೊ ಡಿ ಡೆಮೊರಾ ಡಿ ಎನ್ಸೆಂಡಿಡೊ: | 5 ಎನ್ಎಸ್ |
| ಆಂಚೊ: | 1.4 ಮಿ.ಮೀ. |
| ಅಲಿಯಾಸ್ ಡೆ ಲಾಸ್ ಪೈಜಾಸ್ n.º: | ಎಫ್‌ಡಿಎನ್335ಎನ್_ಎನ್ಎಲ್ |
| ಪೆಸೊ ಡಿ ಲಾ ಯುನಿಡಾಡ್: | 0.001058 ಔನ್ಸ್ |
♠ N-ಚಾನೆಲ್ 2.5V ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸಿದ ಪವರ್‌ಟ್ರೆಂಚ್™ MOSFET
ಈ N-ಚಾನೆಲ್ 2.5V ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸಿದ MOSFET ಅನ್ನು ON ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್‌ನ ಸುಧಾರಿತ ಪವರ್‌ಟ್ರೆಂಚ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಆನ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಗಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ.
• 1.7 ಎ, 20 ವಿ. ಆರ್ಡಿಎಸ್(ಆನ್) = 0.07 Ω @ ವಿಜಿಎಸ್ = 4.5 ವಿ ಆರ್ಡಿಎಸ್(ಆನ್) = 0.100 Ω @ ವಿಜಿಎಸ್ = 2.5 ವಿ.
• ಕಡಿಮೆ ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 3.5nC).
• ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ RDS(ON) ಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಟ್ರೆಂಚ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ.
• ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಕರೆಂಟ್ ನಿರ್ವಹಣಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ.
• ಡಿಸಿ/ಡಿಸಿ ಪರಿವರ್ತಕ
• ಲೋಡ್ ಸ್ವಿಚ್
